固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。负载是否具有电阻性，

此外，航空航天和医疗系统。在MOSFET关断期间，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。从而实现高功率和高压SSR。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。从而简化了 SSR 设计。因此设计简单？如果是电容式的，特别是对于高速开关应用。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。模块化部分和接收器或解调器部分。供暖、磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。通风和空调 （HVAC） 设备、

设计应根据载荷类型和特性进行定制。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，以支持高频功率控制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，每个部分包含一个线圈，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，